自動車・産業用半導体のメーカーのオンセミ社は、2025年8月5日、7月に中国で発表され爆発的な人気を獲得している「シャオミ YU7」の一部モデルに、オンセミの最新のエリートSiC M3e（第3世代SiC MOSFETインバータ）技術を搭載した、先進的な800Vドライブ・プラットフォームが採用されていることを発表した。
エリートSiC M3e技術を搭載したプラットフォームは、卓越した性能と高効率が特長で、自動車メーカーはEV向けの、より小型・軽量かつ堅牢な駆動用インバータ・システムを設計することが可能となっている。
エリートSiC M3e技術をモーター駆動用インバータに搭載することで、性能と電力密度を向上させながらシステム全体のコストを削減し、航続距離の大幅な延長を実現している。
業界最小の電気抵抗を達成したオンセミのエリートSiC技術は、ピーク電力供給の基準を向上し、効率や航続距離を犠牲にすることなく、車両のより強力な加速性能を生み出している。
オンセミでパワー・ソリューション・グループのグループ・プレジデントを務めるサイモン・キートン氏は、「オンセミのエリートSiC技術は、業界をリードする効率、電力密度、熱性能を提供しており、航続距離が長く、加速性能に優れ、信頼性の高い電気自動車の開発を可能にします。当社の業界最先端のシリコンカーバイド技術により、次世代電動モビリティの可能性が広がっています」とコメントしている。
世界的に電動化へのシフトが加速する中で、オンセミのエリートSiCは、高い電力密度、改善された熱性能、優れたエネルギー効率を実現することで、次世代EVの進化を支え、より長い航続距離、より優れた性能を確保することができるのだ。
