ボルグワーナーと世界的な半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（ST）は2023年8月31日、ボルグワーナーが開発したViperパワー・モジュールに、STの最新の第3世代となる750V耐圧SiC（炭化ケイ素・シリコンカーバイド）パワーMOSFETを搭載したインバーターをボルボ・カーズに供給すると発表した。
ボルボ・カーズのジャヴィア・バレーラCOOは
「今回の協力により、航続距離の延長と急速充電を実現できるため、当社の電気自動車の魅力をさらに高めることができるでしょう。また、2030年までの完全電動化に向けた当社の取り組みをサポートし、垂直統合化や重要部品の管理強化に貢献します」と語っている。
ボルグワーナーは、STのSiCパワーMOSFETの性能を最大限に活用するため、STの技術チームと緊密に連携し、Viperパワースイッチに最適化設計した。これにより、インバーターの性能を最大限に引き出し、小型でコストパフォーマンスに優れたアーキテクチャーを実現。また、2社の協力により、急成長を続けるEV市場で求められる量産能力を確保している。
STのSTPOWER SiC製品は、イタリアとシンガポールの工場で製造されており、モロッコと中国にある後工程工場でパッケージングとテストが行なわれている。2022年10月、STはカターニャ（イタリア）における製品の生産能力拡大を発表しており、SiC基板の統合型工場を新設。ここはSTのパワー半導体技術の主要拠点となっている。
